5G技術的核心優勢在于大帶寬、低時延、海量的連接數量以及嚴密的覆蓋。與4G對比，5G峰值速率上是4G的30倍，用戶體驗數據是10倍，流量密度提高100倍。隨著5G網絡建設的推進，像無人駕駛等工業互聯網項目將進入快速發展階段。5G技術加速萬物互聯，由此產生的數據將呈現出指數級的增長。大趨勢下，企業對數據存儲的需求大增，對儲存設備的性能要求也越來越高。

目前，鑒于工業應用領域的特殊需求，為實現數據高性能存儲，在行業企業給出的解決方案中，最可行的三個選項是：一、采用NVMe協議的SSD；二、采用3D NAND立體存儲單元；三、升級DDR4-2666 MT/s內存。作為行業領先者，佰維三管齊下，打造出了成熟的產品、技術并積累了豐富的項目經驗。

采用NVMe SSD是企業用戶普遍認可的存儲升級方案。 NVMe是通過PCIe總線將存儲連接到服務器的接口規范。采用NVMe協議的PCIe SSD：一、能夠直接連接CPU，幾乎沒有延時；二、采用多隊列的方式傳輸數據，將IO訪問并行化。NVMe接口的這兩個特性能夠把SSD的潛力發揮到極致。

接口理論速度對比
 

與SATA/SAS SSD相比，NVMe SSD具有數倍以上的性能增長。以佰維產品為例，采用NVMe1.3接口的AIC PCIe SSD產品連續讀的最大速度為3064MB/s，連續寫的最大速度為1763MB/s；而采用SATA3接口的2.5 SATA SSD產品連續讀的最大速度為540MB/s，連續寫的最大速度為450MB/s；兩者的差距顯而易見。

影響SSD數據存儲性能的不止是接口，還有NAND的形式。2D NAND雖然還在被廣泛使用，但是由于其自身技術發展遇到瓶頸，越來越無法滿足更高標準的需要，尤其是工業應用的需要。2D NAND的制程工藝從早期的50nm發展到目前的15/16nm，提高了容量，降低了成本，但是其可靠性和性能卻在下降，因為NAND的氧化層越薄，Cells之間的干擾越大，數據讀寫的速度也越慢。

佰維3D NAND產品
 

與2D NAND提高制程工藝的道路不同，3D NAND提高容量的方法是堆疊更多層數。Intel曾經以蓋樓為例介紹了3D NAND，2D NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈。由于3D NAND獲得了更高的單位面積容量，因此對于特定容量的芯片，制造3D NAND的制程要比2D NAND低得多，比如可采用40nm制程。這就有效降低了Cells之間的干擾，同時提升了讀寫速度。佰維為大容量、高速度的高端工控SSD產品采用了3D NAND閃存，并設計了LDPC糾錯算法以加強產品的穩定性。

在工業應用領域，還可通過升級內存來優化服務器存儲性能。DDR4-2666MT/s將數據頻率最大提高到2666MT/s，完美匹配CPU的最高內存頻率設定，充分釋放服務器的運算能力。佰維DDR4-2666MT/s系列產品容量從4GB到16GB，滿足所有工業應用需求，包括強固耐用的服務器、自動化、網絡交換機和監控等。

DDR的發展
 

佰維自有封測工廠，可為工控客戶提提供不同形式的定制封裝。針對1U服務器，我們采用低高度DIMM模塊設計，改善微型空間空氣流散熱系統；針對溫差變化大的礦業化工等惡劣環境，我們采用-40℃~85℃的寬溫模塊設計；針對高可靠性及穩定性系統級應用，我們嚴格測試精選閃存顆粒，并配備熱傳感器，保證良好的數據完整性和高速傳輸性能。